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分享汽相方面的知识

作者：cad 提交日期：2008-12-5| 分类: | 访问量：

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气相沉积（ PVD & CVD ）
气相沉积也称干镀，按机理划分为物理气相沉积（PVD）和化学气相沉积（CVD）。
一、物理气相沉积
物理气相沉积是利用蒸发或溅射等物理形式，把材料从靶源移走，然后通过真空或半真空空间使这些携带能量的蒸发粒子沉积到基体或零件的表面，以形成膜层。
物理气相沉积法主要有真空蒸镀、阴极溅射和离子镀。
1、真空蒸镀
在真空中使金属、合金或化合物蒸发，然后凝结在基体表面上的方法叫真空蒸镀。
镀膜特点：
（1）镀膜由气相沉积，均匀性好；
（2）在真空条件下形成，纯净性好；
（3）成膜过程简单，工艺可精确控制。
应用：
真空蒸镀主要用于光学透镜的反射膜及装饰用的金膜、银膜。
2、阴极溅射
阴极溅射是利用高速正离子轰击某一靶材（阴极），使靶材表面原子以一定能量逸出，然后在工件表面沉积的过程。
阴极溅射与真空蒸镀相比有如下特点：
（1）薄膜的结合力高；
（2）容易相成高熔点物质的膜；
（3）可以在较大面积上得到均匀的薄膜；
（4）容易控制膜的组成；
（5）可以长时间地连续运转；
（6）有良好的再现性；
（7）几乎可以制造一切物质的薄膜。
3、离子镀
离子镀借助于一种惰性气体的辉光放电使欲镀金属或合金蒸发离子化，在带负电荷的基体（工件）上形成镀膜。
离子镀膜的特点：
（1）离子镀膜附着力强；
（2）均匀性好；
（3）取材广泛且能相互搭配；
（4）整个工艺过程无污染。
应用：
（1）形成附着力强的耐磨镀层；
（2）形成表面致密的耐蚀镀层、润滑镀层；
（3）形成各种颜色的装饰镀层；
（4）形成各种特殊性能镀层。

CVD(Chemical Vapor Deposition, 化学气相淀积)，指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。在超大规模集成电路中很多薄膜都是采用CVD方法制备。

CVD特点：淀积温度低，薄膜成份易控，膜厚与淀积时间成正比，均匀性，重复性好，台阶覆盖性优良。

化学气相沉积（CVD）技术是近年来国际上发展和应用较广的一门先进技术，尤其在电子、半导体、机械、仪表、宇航等领域的应用发展极其迅速。所谓化学气相沉积（简称CVD），就是利用化学反应的原理，从气相物质中析出固相物质沉积于工作表面形成镀层薄膜的新工艺。通常使用的涂层有：TiC、TiN、Ti （C.N）、Gr7O3、Al2O3等。以上几种CVD的硬质涂层基本具备低的滑动摩擦系数，高的抗磨能力，高的抗接触疲劳能力，高的表面强度，保证表面具有足够的尺寸稳定性与基体之间有高的粘附强度。

其含义是气相中化学反应的固体产物沉积到表面。CVD装置由下列部件组成；反应物供应系统，气相反应器，气流传送系统。反应物多为金属氯化物，先被加热到一定温度，达到足够高的蒸汽压，用载气（一般为Ar或H2）送入反应器。如果某种金属不能形成高压氯化物蒸汽，就代之以有机金属化合物。在反应器内，被涂材料或用金属丝悬挂，或放在平面上，或沉没在粉末的流化床中，或本身就是流化床中的颗粒。化学反应器中发生，产物就会沉积到被涂物表面，废气（多为HCl 或HF）被导向碱性吸收或冷阱。
沉积反应可认为还原反应、热解反应和取代反应几类。CVD反应可分为冷壁反应与热壁反应。在热壁反应中，化学反应的发生与被涂物同处一室。被涂物表面和反应室的内壁都涂上一层薄膜。在热壁反应器中只加热被涂物，反应物另行导入。

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本文摘自：http://www.jxcad.com.cn/read.php?tid=511043&fpage=2

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